由于没有等离子体产生或等离子体到晶片和胶带的底部，因此底切和分层被最小化，并且晶片表面上没有溅射或胶带沉积。整个室容积减小到仅仅晶片上方的区域。R等离子体蚀刻系统专为先进的蚀刻应用设计，例如：去除用于故障分析，去封装和介电材料去除的中间膜，蚀刻氧化物，氮化物，聚酰亚胺，硅，金属，ILED或IC器件制造，环氧树脂去除; 光致抗蚀剂剥离和去除。经济实惠的反应离子蚀刻在紧凑的台式配置中，各向异性反应离子蚀刻等离子体系统是完全独立的，需要最小的工作台面积。等离子体蚀刻机底盘也用作集成安全外壳，容纳等离子体室，控制电子设备，13.56 MHz射频发生器和自动匹配网络（只有真空泵在系统外部）。通过互锁的门或容易拆卸的面板提供维护通道。
